Taikomieji mokslai / Elektronika

Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas

0 atsiliepimų
Autorius:

Šiuolaikinis žmogaus gyvenimas yra neįsivaizduojamas be įvairiausių elektroninių prietaisų. Mikroprocesoriai – pagrindinė šiandieninės technikos sudėtinė dalis. Jie yra sudaryti iš daugybės mažyčių elementų. Mikroprocesoriai gaminami terminės difuzijos būdu, kuris reikalauja labai didelio kruopštumo bei idealios švaros.

Šiuolaikinės elektroninės aparatūros ir kompiuterizuotų informacinių sistemų pagrindą sudaro puslaidininkiniai integriniai grandynai. Dažnai jų gamybai taikoma terminė priemaišų difuzija.

Difuzijos procesas puslaidininkių integrinių grandinių technologijoje taikomas aktyviųjų ir pasyviųjų elementų struktūroms formuoti. Siekiant gauti reikalingą savitąją puslaidininkio varžą arba pakeisti laidumo tipą, į silicio kristalą įterpiami kito elemento atomai.

Šiame darbe aptarsiu terminės difuzijos procesą, jo parametrų priklausomybę nuo laiko ir temperatūros bei priemaišų pasiskirstymą tranzistoriuje.

Antroje ir trečioje dalyse aptarsiu dvipolio ir lauko tranzistorių ekvivalentinių grandinių scemų sudarymo būdus, bei atliksiu jų parametrų skaičiavimus.

Ketvirtoje dalyje nagrinėsiu akustinių bangų filtro projektavimą. Tai labai aktualu šiuolaikinėje visuomenėje, nes elektrinių virpesių filtras yra svarbi audio bei video technikos sudėtinė dalis. Išnagrinėsiu šio filtro sandarą, jo sudarymo metodiką, bei dažninę amplitudės charakteristiką, pagal kurią nustatomas filtro pralaidumo juostos plotis.

Darbo tipas:
Dalykas:
Apimtis:
3850 žodžiai (-ų)
Lygis:
Universitetas
Atsisiųsti

Turinys

  • 1. Įvadas2
  • 2. Terminės difuzijos proceso tyrimas (teorinis)3
  • 1. Priemaišų pasiskirstymas, kai difuzija vyksta iš begalinio šaltinio5
  • 2. Difuzinio srauto ir legiravimo dozės kitimas laike, kai difuzijos šaltinis begalinis6
  • 3. Priemaišų pasiskirstymas, kai difuzijos šaltinis baigtinis7
  • 4. Priemaišų įvedimo ir perskirstymo temperatūrų įtaka pn sandūros gyliui7
  • 5. Priemaišų pasiskirstymas tranzistoriuje formuojamame dvikartės difuzijos būdu8
  • 3. Difuzijos proceso tyrimas9
  • 4. Dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimas, ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas17
  • 5. Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas22
  • 6. Akustinės elektronikos įtaiso projektavimas26
  • 7. Išvados30
  • 8. Literatūra31

Jums gali būti aktualu

Vartotojai, įsigyję šį darbą, taip pat peržiūrėjo
Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas
Kursinis darbas Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas

Elektronikos itaisu kursinis darbas. Elektroninės aparatūros ir kompiuterizuotų informacinių sistemų pagrindą sudaro puslaidininkiniai integriniai grandynai [...]