Taikomieji mokslai / Elektronika

Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas

0 atsiliepimų
Autorius:
Elektronikos itaisu kursinis darbas.
Elektroninės aparatūros ir kompiuterizuotų informacinių sistemų pagrindą sudaro puslaidininkiniai integriniai grandynai (PIG). Integrinių grandynų gamybai plačiai taikomas priemaišų difuzijos mechanizmas. Difuzijos procesas silicio puslaidininkių integrinių grandinių technologijoje taikomas aktyviųjų (tranzistoriai, tiristoriai, diodai) ir pasyviųjų (rezistoriai, kondensatoriai) elementų struktūroms formuoti. Siekiant gauti reikalingą savitąją puslaidininkio varžą arba pakeisti laidumo tipą, į silicio kristalą įterpiami kito elemento (Mendelejevo periodinės lentelės III arba V gr.) atomai.
Tranzistorius - svarbiausias ir dažniausiai pasitaikantis elektronikoje elementas atliekantis signalo transformavimo-perdavimo funkciją. Dėl šios priežasties labai svarbu tinkamai parinkti tranzistoriaus parametrus ir darbo tašką kad įtaisas tinkamai veiktų ir ilgai tarnautų. Kursiniame darbe parodoma kaip iš tipinių tranzistoriaus charakteristikų gauti nežinomas jo charakteristikas, rasti parametrus, kurie būtini norint sudaryti tranzistoriaus ekvivalentinę schemą. Remiantis ekvivalentine schema galima spręsti apie tranzistoriaus dažnines ir perdavimo savybes, kurios yra svarbios konstruojant įvairius stiprintuvus ir kitus impulsinės elektronikos įtaisus.
Šiuolaikinėje radioaparatūroje labai svarbų vaidmenį turi akustinė elektronika. Didėjant integrinių grandynų integracijos laipsniui, mažėja elektroninės aparatūros masė, tūris, savikaina, didėja patikimumas, plečiasi funkcinės galimybės. Tačiau integriniuose grandynuose sunku realizuoti induktyvumo elementus, kurie iki išsivystant akustinei elektronikai buvo bene vieni svarbiausi elektrinių filtrų ir vėlinimo linijų elementai. Problema buvo ta kad žemų dažnių srityje (arba esant dideliam vėlinimo laikui) naudojamos induktyvumo ritės ir laidinės vėlinimo linijos turi būti labai didelių matmenų ir masės, jų savikaina išauga, todėl nuo elektrinių filtrų daug kur buvo pereita prie akustinių tūrinių ir paviršinių bangų filtrų panaudojant pjezoelektrinius keitiklius ir rezonatorius. Paviršinių akustinių bangų filtrai yra tobulesni, jų gamyba paprastesnė, dažnių diapazonas platesnis, turi mažesnius matmenis todėl jie dažniau sutinkami akustinėje elektronikoje ir turi platesnį pritaikymą.
Taigi šiame darbe atliksiu terminės difuzijos proceso tyrimą, dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimą ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymą, lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimą ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymą ir paviršinių akustinių bangų (PAB) filtro projektavimą.
Darbo tipas:
Dalykas:
Apimtis:
3655 žodžiai (-ų)
Lygis:
Universitetas
Atsisiųsti

Turinys

  • ĮVADAS2
  • 1.DIFUZIJOS PROCESO TYRIMAS3
  • Šiluminė priemaišų difuzija3
  • 1.1 Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišos pasiskirstymą po priemaišų įterpimo etapo.8
  • 1.2 Apskaičiuoti ir nubraižyti, kaip priemaišų įterpimo etape kinta priemaišos srauto tankis ir legiravimo dozė.9
  • 1.3 Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą po priemaišų perskirstymo etapo.10
  • 1.4 Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą tranzistoriuje, formuojame dvikartės difuzijos būdu.11
  • 2. DVIPOLIO TRANZISTORIAUS PARAMETRŲ SKAIČIAVIMAS IR EKVIVALENTINĖS GRANDINĖS SCHEMOS SUDARYMAS14
  • Dvipoliai tranzistoriai14
  • 2.1 Rasti dvipolio tranzistoriaus h parametrus.16
  • 2.2 Sudaryti trazistoriaus π pavidalo evivalentinės grandinės schemą, rasti jos elementų parametrus.17
  • 2.3 Apskaičiuoti išėjimo srovės dedamąją18
  • 2.4 Rasti žemo dažnio įtampos stirpinimo koeficientą.18
  • 3. LAUKO TRANZISTORIAUS PARAMETRŲ SKAIČIAVIMAS IR EKVIVALENTINĖS GRANDINĖS SUDARYMAS.19
  • Lauko tranzistorius19
  • 3.1 Nubraižyti lauko tranzistoriaus perdavimo charakteristikas21
  • 3.2 Apskaičiuoti lauko tranzistoriaus parametrus nurodytame darbo taške.21
  • 3.3 Sudaryti lauko tranzistoriaus ekvivalentinės grandinės schemą.22
  • 3.4 Apskaičiuoti fT.22
  • 3.5 Apskaičiuoti kintamąją išėjimo srovės dedamąją22
  • 3.6 Rasti žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficientą.23
  • 4. AKUSTINĖS ELETRONIKOS ĮTAISO PROJEKTAVIMAS.24
  • Suprojektuoti paviršinių akustinių bangų (PAB) juostinį filtrą24
  • IŠVADOS33
  • Literatūra34

Jums gali būti aktualu

Vartotojai, įsigyję šį darbą, taip pat peržiūrėjo
Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas
Kursinis darbas Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas

Šiuolaikinis žmogaus gyvenimas yra neįsivaizduojamas be įvairiausių elektroninių prietaisų. Mikroprocesoriai – pagrindinė šiandieninės technikos sudėtinė [...]