Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas

36 psl. / 3655 žod.

Ištrauka

Elektronikos itaisu kursinis darbas.
Elektroninės aparatūros ir kompiuterizuotų informacinių sistemų pagrindą sudaro puslaidininkiniai integriniai grandynai (PIG). Integrinių grandynų gamybai plačiai taikomas priemaišų difuzijos mechanizmas. Difuzijos procesas silicio puslaidininkių integrinių grandinių technologijoje taikomas aktyviųjų (tranzistoriai, tiristoriai, diodai) ir pasyviųjų (rezistoriai, kondensatoriai) elementų struktūroms formuoti. Siekiant gauti reikalingą savitąją puslaidininkio varžą arba pakeisti laidumo tipą, į silicio kristalą įterpiami kito elemento (Mendelejevo periodinės lentelės III arba V gr.) atomai.
Tranzistorius - svarbiausias ir dažniausiai pasitaikantis elektronikoje elementas atliekantis signalo transformavimo-perdavimo funkciją. Dėl šios priežasties labai svarbu tinkamai parinkti tranzistoriaus parametrus ir darbo tašką kad įtaisas tinkamai veiktų ir ilgai tarnautų. Kursiniame darbe parodoma kaip iš tipinių tranzistoriaus charakteristikų gauti nežinomas jo charakteristikas, rasti parametrus, kurie būtini norint sudaryti tranzistoriaus ekvivalentinę schemą. Remiantis ekvivalentine schema galima spręsti apie tranzistoriaus dažnines ir perdavimo savybes, kurios yra svarbios konstruojant įvairius stiprintuvus ir kitus impulsinės elektronikos įtaisus.
Šiuolaikinėje radioaparatūroje labai svarbų vaidmenį turi akustinė elektronika. Didėjant integrinių grandynų integracijos laipsniui, mažėja elektroninės aparatūros masė, tūris, savikaina, didėja patikimumas, plečiasi funkcinės galimybės. Tačiau integriniuose grandynuose sunku realizuoti induktyvumo elementus, kurie iki išsivystant akustinei elektronikai buvo bene vieni svarbiausi elektrinių filtrų ir vėlinimo linijų elementai. Problema buvo ta kad žemų dažnių srityje (arba esant dideliam vėlinimo laikui) naudojamos induktyvumo ritės ir laidinės vėlinimo linijos turi būti labai didelių matmenų ir masės, jų savikaina išauga, todėl nuo elektrinių filtrų daug kur buvo pereita prie akustinių tūrinių ir paviršinių bangų filtrų panaudojant pjezoelektrinius keitiklius ir rezonatorius. Paviršinių akustinių bangų filtrai yra tobulesni, jų gamyba paprastesnė, dažnių diapazonas platesnis, turi mažesnius matmenis todėl jie dažniau sutinkami akustinėje elektronikoje ir turi platesnį pritaikymą.
Taigi šiame darbe atliksiu terminės difuzijos proceso tyrimą, dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimą ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymą, lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimą ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymą ir paviršinių akustinių bangų (PAB) filtro projektavimą.


Turinys

  • ĮVADAS2
  • 1.DIFUZIJOS PROCESO TYRIMAS3
  • Šiluminė priemaišų difuzija3
  • 1.1 Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišos pasiskirstymą po priemaišų įterpimo etapo.8
  • 1.2 Apskaičiuoti ir nubraižyti, kaip priemaišų įterpimo etape kinta priemaišos srauto tankis ir legiravimo dozė.9
  • 1.3 Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą po priemaišų perskirstymo etapo.10
  • 1.4 Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą tranzistoriuje, formuojame dvikartės difuzijos būdu.11
  • 2. DVIPOLIO TRANZISTORIAUS PARAMETRŲ SKAIČIAVIMAS IR EKVIVALENTINĖS GRANDINĖS SCHEMOS SUDARYMAS14
  • Dvipoliai tranzistoriai14
  • 2.1 Rasti dvipolio tranzistoriaus h parametrus.16
  • 2.2 Sudaryti trazistoriaus π pavidalo evivalentinės grandinės schemą, rasti jos elementų parametrus.17
  • 2.3 Apskaičiuoti išėjimo srovės dedamąją18
  • 2.4 Rasti žemo dažnio įtampos stirpinimo koeficientą.18
  • 3. LAUKO TRANZISTORIAUS PARAMETRŲ SKAIČIAVIMAS IR EKVIVALENTINĖS GRANDINĖS SUDARYMAS.19
  • Lauko tranzistorius19
  • 3.1 Nubraižyti lauko tranzistoriaus perdavimo charakteristikas21
  • 3.2 Apskaičiuoti lauko tranzistoriaus parametrus nurodytame darbo taške.21
  • 3.3 Sudaryti lauko tranzistoriaus ekvivalentinės grandinės schemą.22
  • 3.4 Apskaičiuoti fT.22
  • 3.5 Apskaičiuoti kintamąją išėjimo srovės dedamąją22
  • 3.6 Rasti žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficientą.23
  • 4. AKUSTINĖS ELETRONIKOS ĮTAISO PROJEKTAVIMAS.24
  • Suprojektuoti paviršinių akustinių bangų (PAB) juostinį filtrą24
  • IŠVADOS33
  • Literatūra34

Reziumė

Autorius
lseis
Tipas
Kursinis darbas
Dalykas
Elektronika
Kaina
€7.32
Lygis
Universitetas
Įkeltas
Lie 25, 2012
Publikuotas
2011 m.
Apimtis
36 psl.

Susiję darbai

Įterptinių sistemų projektavimas

Elektronika Laboratorinis darbas 2012 m. audriusm
Darbo tikslas – nuskaityti akselerometro LIS344AL koordinates per analogas-kodas keitiklį. Darbo uždaviniai - susipažinti su STM32L-DISCOVERY maketu, realizuoti nuskaitymą iš STEVAL-MKI017V1 maketo -...

Bipoliariųjų tranzistorių tyrimas

Elektronika Laboratorinis darbas 2013 m. almis
Darbo tikslas.Tyrinėti ir pagrįsti dvikrūvio (bipoliariojo) tranzistoriaus veikimo principus ir savybes, įvairių tranzistoriaus junginių VACh ir parametrus, įvertinti tranzistoriaus teorinių ar matematinių modelių...

Lauko tranzistorių tyrimas

Elektronika Tyrimas 2013 m. almis
Darbo tikslas. Ištyrinėti ir pagrįsti lauko tranzistorių veikimo principus ir savybes, išmatuoti įvairių tipų lauko tranzistorių statinių VACh šeimas, kai kuriuos jas apibūdinančius...

Elementariųjų elektrinių grandinių tyrimas

Elektronika Tyrimas 2017 m. juodaaudi
    Užduotys Susipažinti su elementariosiomis elektrinėmis grandinėmis bei jų tyrimo būdais. Įsisavinti pagrindinius elektrinius parametrus, jų matavimo priemones bei...

RC fazės keitiklio generatoriaus schemos tyrimas

Elektronika Laboratorinis darbas 2018 m. juodaaudi
Darbo tikslas: Atlikti tyrimus su teigiamojo grįžtamojo ryšio grandinėmis. Oscilografu ištirti RC fazės keitiklio generatoriaus schemos makete gaunamų signalų įtampų formą, dažnius...