Dvipolio tranzistoriaus tyrimas

28 psl. / 10000 žod.

Ištrauka

2.1 Dvipolis tranzistorius kaip dviejų diodų sistemaDvipolis tranzistorius buvo išrastas 1948 Bell'o laboratorijoje (JAV), siekiant sukurtipuslaidininkinį prietaisą, kuris galėtų atlikti stiprintuvo funkcijas ir pakeistų tuo metu paplitusiaselektronines lempas. Maždaug du dešimtmečius nuo jo išradimo dvipolis tranzistorius buvopagrindiniu skaitmeninės elektronikos komponentu. Nors per pastaruosius dešimt metų dvipolįtranzistorių išstūmė MOS tranzistorius, tačiau dvipoliai tranzistoriai ir dabar yra naudojami tuomet,kai reikalingas ypač didelis greitaeigiškumas (pvz., emiterinio ryšio logikos elementuose beimikrobangiuose galios stiprintuvuose) arba kai dirbama su aukštos galios signalais.Vienmatis dvipolis tranzistorius – tai trijų sluoksnių sistema, kurioje plonas p tipo sluoksnisyra tarp dviejų n tipo sluoksnių, arba atvirkščiai. Prie kiekvienos iš šių trijų sričių yra prijungtaselektrodas. Taigi, dvipolis tranzistorius turi tris elektrodus. Dvipoliame tranzistoriuje svarbus irelektronų, ir skylių judėjimas. Iš čia kilo pavadinimas “dvipolis”.Kadangi dvipolį tranzistorių sudaro dvi pn sandūros, jį galima sukonstruoti iš dviejųpriešpriešiais sujungtų pn diodų. Priklausomai nuo n ir p sričių tarpusavio išsidėstymo, skiriami npnir pnp tranzistoriai. Toliau bus kalbama tik apie npn tranzistorių (pnp tranzistoriaus veikimas yraanalogiškas, tačiau elektronai ir skylės apsikeičia vaidmenimis).Kaip ir diodo atveju, dvipolio tranzistoriaus analizę pradėsime nuo jo energijos juostųdiagramos (žr. 1 pav.). Kaip matome šioje diagramoje, npn tranzistoriaus n tipo sritys vadinamosemiteriu ir kolektoriumi, o vidurinė p sritis vadinama baze.Normalioje veikoje, kuri vadinama tiesiogine aktyviąja veika, prie emiterio ir bazėssandūros yra prijungta tiesioginė įtampa, o prie kolektoriaus ir bazės sandūros yra prijungta atgalinėįtampa. Jeigu p srities (bazės) storis būtų žymiai didesnis už elektronų difuzijos nuotolį (kaip 1 pav.vidurinėje diagramoje), tuomet visi į bazę injektuotieji el


Turinys

  • Užduotys 2Darbo teorija 42.1 Dvipolis tranzistorius kaip dviejų diodų sistema 42.2. Dvipolio tranzistoriaus veikos 82.3 Bazės ir kolektoriaus srovės realistiškame dvipoliame tranzistoriuje 102.3.1. Atgalinė įtampa kolektoriaus sandūroje, VBE = 0 112.3.2. Tiesioginė įtampa emiterio sandūroje, VCB = 0 122.3.3.Pagrindiniai reiškiniai, kurie lemia realistiško dvipolio tranzistoriaus charakteristikas 15Metodika17

Reziumė

Autorius
rastodarbai2014
Tipas
Tyrimas
Dalykas
Fizika
Kaina
€3.60
Lygis
Universitetas
Įkeltas
Sau 24, 2021
Publikuotas
2009 m.
Apimtis
28 psl.

Susiję darbai

Diferencialinės sistemos tyrimas

Fizika Laboratorinis darbas lukask
1. Naudojant elektroninio modeliavimo programą sudaryti diferencialinės sistemos principinę schemą. Kuriant schemą nenaudoti idealaus transformatoriaus, o pasirinkti iš realių sąrašo. Zb = Zl...

Spin efekto tranzistoriai

Fizika Prezentacija dramblius
Spin efekto tranzistoriai priklauso naujai technologijai – spintronikai (magnetoelektronika) panaudojančiai sukinio pernašos reiškinius kietuosuose kūnuose. 1990 m. pirma karta iškelta idėja panaudoti sukinių...

Feromagnetiko histerezės kilpos tyrimas

Fizika Laboratorinis darbas lora05
Tikslas:gauti oscilografo ekrane toroido formos feromagnetiko histerezės kilpą ir apskaičiuoti permagnetinimo nuostolius. Priemonės:feromagnetiko histerezės kilpos tyrimo stendas.

Lazerio spinduliuotės savybių tyrimas

Fizika Laboratorinis darbas 2019 m. coverageos
Darbo tikslas: Ištirti He-Ne lazerio ir lazerinio diodo spinduliuočių spektrines charakteristikas ir erdvinį koherentiškumą. Darbo užduotys: 1. Suderinti He-Ne lazerio optinio pluošto sklidimą...